سریع‌ترین حافظه فلش جهان و انقلابی در ذخیره‌سازی داده‌ها با هوش مصنوعی
عسگر حیدری – تیم تحقیقاتی دانشگاه فودان با همکاری آزمایشگاه کلیدی دولتی سیستم‌های یکپارچه مدارها، سریع‌ترین دستگاه ذخیره‌سازی نیمه‌هادی جهان به نام “PoX” را توسعه داده‌اند که می‌تواند یک بیت داده را در مدت زمان بی‌سابقه 400 پیکوثانیه (0.0000000004 ثانیه) برنامه‌ریزی کند.
فناوری برتر دیجیتال به نقل از اینترستینگ اینجینرینگ؛ این حافظه غیرفرار PoX که نام دارد حتی از سریع‌ترین فناوری‌های حافظه فرار که برای ذخیره یک بیت داده به حدود ۱ تا ۱۰ نانوثانیه نیاز دارند، بهتر عمل می‌کند.
محققان دانشگاه فودان یک با استفاده از مکانیسمی نوین یک حافظه دو بعدی Direc با کانال گرافن( two-dimensional Dirac graphene-channel flash memory) ابداع کردند که مرزهای سرعت ذخیره سازی اطلاعات غیر فرار و دسترسی به آن را شکست.
دستاوردی که مرزهای سرعت را درنوردید:
– این حافظه غیرفرار قادر به انجام 25 میلیارد عملیات در ثانیه است
– سرعتی معادل حافظه‌های فرار (SRAM/DRAM) با قابلیت نگهداری داده بدون نیاز به برق
– استفاده از گرافن دیراک دوبعدی به جای کانال‌های سیلیکونی معمول
– بهینه‌سازی فرآیند با الگوریتم‌های هوش مصنوعی
پروفسور ژو پنگ، سرپرست تیم تحقیقاتی در مصاحبه با شینهوا تأکید کرد:
“با بهره‌گیری از بهینه‌سازی مبتنی بر هوش مصنوعی، حافظه غیرفرار را به مرزهای نظری سرعت رساندیم. این دستاورد راه را برای نسل آینده حافظه‌های پرسرعت هموار می‌کند.”
کاربردهای انقلابی:
– حذف گلوگاه حافظه در سخت‌افزارهای هوش مصنوعی
– مناسب برای دستگاه‌های هوشمند لبه‌ای با محدودیت باتری
– تحول در پردازش ابری و مراکز داده
